SiC Epitaxial Wafer

SiC Epitaxial Wafer

SiC epi wafer je visokokvalitetan i napredan poluvodički proizvod na tržištu. To je vrsta epitaksijalne pločice od silicijum karbida koja pruža odlične performanse u raznim elektronskim i optičkim aplikacijama.
Pošaljite upit
Chat Sada
Opis
Tehnički parametri
opis proizvoda

 

SiC epi wafer je visokokvalitetan i napredan poluvodički proizvod na tržištu. To je vrsta epitaksijalne pločice od silicijum karbida koja pruža odlične performanse u raznim elektronskim i optičkim aplikacijama. SiC epi wafer proizvedena je korištenjem naprednih tehnika rasta kristala, što rezultira visokokvalitetnim materijalom s vrhunskim svojstvima.

 

Jedna od značajnih prednosti SiC epi wafer-a je njegov visok probojni napon, što ga čini idealnim izborom za aplikacije velike snage i visoke temperature. Također je vrlo otporan na toplinska i mehanička opterećenja, što osigurava stabilnost i izdržljivost čak iu teškim okruženjima. Njegova odlična svojstva toplotne provodljivosti omogućavaju efikasno odvođenje toplote, smanjujući rizik od toplotnog oštećenja elektronskih komponenti.

 

SiC epi wafer se široko koristi u raznim elektronskim i optoelektronskim uređajima, uključujući energetsku elektroniku, rasvjetu i senzore. Pruža odlične performanse i pouzdanost, čak i u zahtjevnim aplikacijama koje zahtijevaju visoke temperature i veliku snagu. Štoviše, to je ekološki prihvatljiva i održiva alternativa tradicionalnim materijalima na bazi silicija, što ga čini idealnim izborom za ekološki svjesne potrošače.

 

4H N-TIP SiC 100MM, 350μm SPECIFIKACIJA VAFE

Artic le Number

W4H100N-4-PO (ili CO)-350

Opis

4H SiC supstrat

Polytype

4H

Prečnik

(100+0.0-0.5) mm

Debljina

(350±25) μm (inženjerski stupanj ±50 μm)

Carrier Type

n-tip

Dopant

Nitrogen

Otpornost (RT)

0.012-0.025Ω▪cm (inženjerska ocjena<0.025Ω▪cm)

Wafer Orientation

(4+0.5) stepen

Inženjerski razred

Production Grade

Production Grade

2.1

2.2

2.3

Micropipe Density

Manje ili jednako 30 cm-²

Manje ili jednako 10 cm-²

Manje ili jednako 1 cm-²

Micropipe Slobodno područje

Nije određeno

Veće ili jednako 96%

Veće ili jednako 96%

Orijentacija stan (OF)

 

Orijentacija

Paralela {1-100} ±5 stepeni

Orijentacija ravne dužine

(32,5±2.0) mm

lidentifikacijski stan (IF)

 

Orijentacija

Si-face: 90 stepeni cw, od orijentacije ravno ±5 stepeni

Identifikacija ravne dužine

(18.0+2.0) mm

 

Površina

Opcija 1: Si-face standardni lak Epi-ready C-face optički lak

Opcija 2: Si-face CMP Epi-ready, C-face optički lak

Paket

Kutija za dostavu višestrukih vafla (25).

(pojedinačno pakovanje vafla na zahtjev)

 

6H N-TIP SiC, 2" SPECIFIKACIJA WAFE

Artic le Number

W6H51N-0-PM-250-S

Opis

Proizvodni razred 6H SiC supstrat

Polytype

6H

Prečnik

(50,8±38) mm

Debljina

(250±25) um

Carrier Type

n-tip

Dopant

Nitrogen

Otpornost (RT)

0.06-0.10Ω▪cm

Wafer Orientation

(0+0.5) stepen

Micropipe Density

Manje ili jednako 100 cm-²

Orijentacija ravna orijentacija

Paralelno {1-100} ±5 stepeni

Orijentacija ravne dužine

(15,88±1,65) mm

Identifikacija ravne orijentacije

Si-face: 90 stepeni cw. orijentacija mrštenja ravno ±5 stepeni

Identifikacija ravne dužine

(8+1.65) mm

Površina

Si-face standardni lak Epi-ready

C-face mat

Paket

Pakovanje jednostrukog paketa vafla ili pakovanja višestrukih vafla

 

Slika proizvoda

SiC GaN Wafer1

Zašto odabrati nas

 

Naši proizvodi dolaze isključivo od pet najvećih svjetskih proizvođača i vodećih domaćih tvornica. Uz podršku visokostručnih domaćih i međunarodnih tehničkih timova i strogih mjera kontrole kvaliteta.

Naš cilj je pružiti klijentima sveobuhvatnu podršku jedan na jedan, osiguravajući glatke kanale komunikacije koji su profesionalni, pravovremeni i efikasni. Nudimo nisku minimalnu količinu narudžbe i garantiramo brzu isporuku u roku od 24 sata.

 

Factory Show

 

Naš veliki inventar se sastoji od 1000+ proizvoda, čime se osigurava da kupci mogu naručiti za samo jedan komad. Naša oprema u vlastitom vlasništvu za kockice i mljevenje i puna saradnja u globalnom industrijskom lancu omogućavaju nam brzu isporuku kako bismo osigurali zadovoljstvo i udobnost kupaca na jednom mjestu.

01
02
03

 

Naš sertifikat

 

Naša kompanija se ponosi raznim sertifikatima koje smo stekli, uključujući naš sertifikat o patentu, sertifikat ISO9001 i sertifikat National High-Tech Enterprise. Ovi certifikati predstavljaju našu posvećenost inovacijama, upravljanju kvalitetom i posvećenost izvrsnosti.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

Popularni tagovi: sic epitaxial wafer, Kina sic epitaxial wafer proizvođači, dobavljači, tvornica