Poluprovodnici prve generacije?
Reprezentativni materijali: silicijum (Si), germanijum (Ge). Nedostaci germanijuma: loša termička stabilnost. Germanijumski tranzistori su se pojavili 1948. godine. Od 1950. do ranih 1970-ih, germanijumski tranzistori su se brzo razvijali. Nakon toga su se počeli postepeno eliminirati iz razvijenih zemalja. Do 1980. godine, kako je proces proizvodnje silicijuma visoke čistoće postepeno sazrijevao, oni su gotovo u potpunosti zamijenjeni silicijumskim tranzistorima širom svijeta.
Poluprovodnici druge generacije?
Reprezentativni materijali: galijum arsenid (GaAs), indijum fosfid (InP).
Prednosti:
1. Visoka pokretljivost elektrona;
2. Direktan pojas, vrlo efikasan u optoelektronskim aplikacijama, jer elektroni mogu direktno skočiti i istovremeno oslobađati fotone, kao što su LED diode i laseri.
Poluprovodnici treće generacije?
Reprezentativni materijali:silicijum karbid (SiC), galijum nitrid (GaN), cink selenid (ZnSe).
Prednosti: širok pojas, visok probojni napon i visoka toplotna provodljivost. Pogodno za visoke temperature, velike snage i visoke frekvencije.
Poluprovodnici četvrte generacije?
Reprezentativni materijali:
Galijum oksid (Ga2O3), dijamant (C), aluminijum nitrid (AlN) i bor nitrid (BN), itd. Prednosti: ultra široki pojas; visok probojni napon; visoka mobilnost nosioca itd.
Nedostaci:
otežan rast i priprema materijala; nezreli proizvodni proces, mnoge ključne tehnologije još nisu u potpunosti probijene.
