Kolika je debljina monokristalne silikonske pločice?

Sa unapređenjem saradnje u industrijskom lancu, proces proređivanja se ubrzava. Debljina silicijumskih pločica ima uticaj na automatizaciju, prinos i efikasnost konverzije ćelija i treba da odgovara potrebama proizvođača ćelija i modula na nižem toku. Dakle, proređivanje više zavisi od saradnje i unapređenja svih karika u industrijskom lancu.
U 2020. godini, prosječna debljina polikristalnih silikonskih pločica je 180 μm, prosječna debljina pločica monokristalnog silicijuma P-tipa je oko 175 μm, prosječna debljina silikonskih pločica N-tipa je 168 μm, prosječna debljina silikonskih pločica N-tipa wafers za TOPCon ćelije je 175 μm, a prosječna debljina silicijumskih pločica za ćelije heterospojnice oko 150 μm.
1. P-tip monokristalne silicijumske pločice: Tanke rezove su imale više čvorova kao što su 350 μm, 250 μm, 220 μm, 200 μm i 180 μm, a očekuje se da će dostići 170 μm 2021. {{ Tehnologija tankih rezova od 9}} μm je sazreo i očekuje se da će dostići 160 μm 2025. godine.
2. Monokristalne silikonske pločice N-tipa: U poređenju sa silikonskim pločicama P-tipa, silikonske pločice N-tipa je lakše postići stanjivanje. Očekuje se da će dostići 160-165 μm 2021. Trenutno je dostupna 120-140 μm wafer tehnologija, a očekuje se da će dugoročno dostići 100-120 μm.
3. N-tip monokristalne silicijumske pločice za heterospojne ćelije: HJT je najpovoljnija ćelijska struktura i proces za stanjivanje, i ima prirodne prednosti u stanjivanju. Razlozi su:
(1) Simetrična struktura, niska temperatura ili proces bez stresa može se prilagoditi tanjim silikonskim pločicama.
(2) Debljina ne utiče na efikasnost konverzije. Čak i ako se debljina smanji na oko 100 μm, ovisno o ultra-niskoj površinskoj rekombinaciji, gubitak struje kratkog spoja Isc može se kompenzirati naponom otvorenog kruga Voc.
Prema relevantnim predviđanjima, debljina heterospojnih silikonskih ploča N-tipa dostići će 140, 130 i 120 μm 2024., 2027. i 2030. godine, a teorijska granica stanjivanja može doseći ispod 100 μm.