Tankofilmski tranzistori sa donjim vratima (TFT) su ključna komponenta modernih elektronskih uređaja. TFT struktura se sastoji od poluprovodničkog sloja, elektrode izvora i drena, i elektrode kapije. Elektroda kapije spojena je na upravljačko kolo i radi kao prekidač tranzistora.
Elektroda gejta je odvojena od sloja poluprovodnika izolacionim slojem, poznatim kao dielektrični sloj ili izolator kapije. Dielektrični sloj je ključan u određivanju performansi tranzistora regulacijom jačine električnog polja generiranog naponom gejta. Izbor materijala za dielektrični sloj igra značajnu ulogu u proizvodnji TFT-a visokih performansi, jer utiče na električnu stabilnost uređaja, mobilnost nosača naboja i brzinu prebacivanja.
Najčešće korišteni dielektrični materijali za TFT-ove s donjim vratima su silicijum dioksid (SiO2), silicijum nitrid (Si3N4) i aluminijum oksid (Al2O3). Svaki od ovih materijala ima svoja jedinstvena svojstva i prednosti. Na primjer, SiO2 pruža odlične električne performanse i termičku stabilnost, Si3N4 nudi visok probojni napon i mehaničku čvrstoću, dok Al2O3 pruža visoku dielektričnu konstantu i visoku termičku stabilnost.
Zaključno, elektroda gejta i dielektrični sloj su integralne komponente TFT-a sa donjim vratima. Pravilno dizajniran dielektrični sloj koji zadovoljava zahtjeve performansi uređaja je ključni element u postizanju TFT-ova visokih performansi. Uz kontinuirano istraživanje i razvoj, TFT-ovi sa donjim vratima će nastaviti da značajno doprinose napretku moderne elektronike.